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Ofenanlagen

Ofenanlage zur Herstellung von großformatigen CMC-Bauteilen bei Temperaturen bis 2200°C

Für die Entwicklung von C/C-SiC Bauteilen stehen neben modernen Anlagen zur Vorkörperfertigung (Autoklav-, RTM- und Presstechnik) mehrere Ofenanlagen für die Hochtemperaturprozesse (T_max. = 2700 °C) zur Verfügung. Das Spektrum reicht von kleinen Laboröfen für Vorversuche zur Werkstoffentwicklung bis hin zu großen Anlagen zur Herstellung von CMC-Bauteilen in Originalgröße. Die Ofenanlagen können im Inertgas- oder Vakuumbetrieb gefahren werden. Als größte Anlage steht OPUS 900 (Ofenanlage für Pyrolyse und Silicierung), mit einem würfelförmigen Brennraum von ca. 900 mm Kantenlänge zur Verfügung. Ein Prozessüberwachungs- und Dokumentationssystem ermöglicht einen automatischen Betrieb rund um die Uhr sowie eine vollständige Qualitätssicherung.

Anlage für Pyrolyse (OPUS 900)

• T_max.: 1650 °C (Standard)
• Leistung: 200 kW
• Atmosphäre: Stickstoff / Argon
• Maximale Heizrate: 600 K/h
• Minimale Heizrate: 3 K/h
• Brennraumgröße: 880x880x800 mm³

Anlage für Silicierung (OPUS 900)

• T_max.: 1750 °C
• Leistung: 200 kW
• Atmosphäre: Vakuum (p < 3 mbar), Stickstoff, Argon
• Maximale Heizrate: 600 K/h
• Minimale Heizrate: 3 K/h
• Brennraumgröße: 880x880x800 mm³

Anlage für Graphitierung (OPUS 500)

• T_max.: 2700 °C
• Leistung: 180 kW
• Atmosphäre: Stickstoff / Argon
• Maximale Heizrate: 600 K/h bis 1500 °C
  300 K/h ab 1500 °C bis 2700 °C
• Minimale Heizrate: 3 K/h
• Kapazität Ofenraum: Ø 500 mm; h=500 mm