Ikosaedrische Phase in der Legierung Al60Cu34Fe6 (In-lens Detektor). Die Probe wurde tiegelfrei in einer Anlage für elektromagnetische Levitation aufgeschmolzen, unterkühlt und wieder erstarrt.MIKROSTRUKTURANALYSE
Im Bereich Mikrostrukturanalyse steht mit dem Rasterelektronenmikroskop LEO 1530 VP mit INCA EDX-Analyse ein modernes Spitzengerät zur Verfügung. Es lassen sich Oberflächen elektrisch leitfähiger Materialien wie Metalle, aber auch elektrisch isolierender wie Aerogele abbilden. Neben dem erwähnten EDX-System ist das Gerät mit Sekundärelektronen-, Rückstreuelektronen- und In-lens Sekundärelektronen-Detektoren ausgerüstet. Mit einer Schottky-Feldemissionskathode wird eine hohe Strahlstabilität erreicht, die Bildauflösung bei 20 kV Beschleunigungsspannung wird vom Hersteller mit 1 nm angegeben.
Technische Daten
Bildauflösung:
Beschleunigungsspannung: 100 V bis 30 kV
Strahlstrom: 8 pA bis 3 nA
Strahlemitter: thermische Feldemissionskathode
Detektoren:In-lens Detektor für Sekundärelektronen (In-lens SE-Detektor) HV: Everhart-Thornley (SE-Detektor) VP: VPSE-Detektor 4-Quadranten-Detektor für Rückstreuelektronen (BSE-Detektor) Si(Li)-EDX-Detektor für Röntgenstrahlung